技术的专业衬底材料供应商。公司依据不同的应用领域及其外延技术特征进行适配的衬底材料开发，通过图形化结构设计、不一样的材料组合应用、工艺制程实现等，为GaN LED芯片提供衬底材料综合解决方案。

　　目前，公司基本的产品包括2至6英寸图形化蓝宝石衬底（PSS）、图形化复合材料衬底（MMS），主要使用在于照明、显示、背光源、Mini/Micro LED、深紫外 LED 等领域。

　　氮化镓（GaN）材料是第三代半导体的代表，其具有非常出色的抗击穿能力，耐受更高的电子密度，有更高的电子迁移率，在半导体中通常用于光电子、电力电子三大领域。

　　GaN 产业链一般划分为上游的材料即衬底和外延片、中游的器件和模组、下游的系统和应用。GaN 材料的应用，最重要的包含衬备和外延工艺两个环节。衬底是制作半导体器件的基础材料，一般为外延材料的同质材料或适配的异质材料制造成的晶圆片。半导体行业的外延概念，是指在衬底上生长一层新单晶薄膜的过程，新单晶薄膜能与衬底为同质材料，也可以是异质材料。经过外延生长环节制成的外延片，是半导体器件制造的基础原材料。

　　蓝宝石是目前 GaN 器件使用量最大、最成熟的衬底材料，通过蓝宝石衬造的 GaN 器件通常被归类为蓝宝石上氮化镓技术产品（GaN on Sapphire），大部分光电应用的 GaN 器件都是通过蓝宝石衬底外延 GaN 制造的。GaN 半导体器件的另外两种常用衬底是 Si 和 SiC，通常称为 GaN-on-Si（硅基氮化镓）和 GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）器件，目前主要使用在在射频器件、功率器件等领域。

　　中图科技是一家面向蓝宝石上氮化镓（GaN on Sapphire）半导体技术的专业衬底材料供应商。经过持续努力，公司已成为全世界 LED 产业链中具有突出竞争优势的衬底材料供应商，折合 4 英寸的图形化衬底的年产能超 1,300 万片，与全球主要 LED芯片制造企业建立了长期合作伙伴关系。目前公司已成为华灿光电、晶元光电、首尔伟傲世、兆驰股份、澳洋顺昌、乾照光电、聚灿光电等头部 LED 芯片企业的主要衬底供应商。

　　根据LEDinside公开数据，2019 年全球折合 4 英寸的 GaN-LED 外延片的产量为 3,755 万片，GaN-LED 外延片以 PSS 衬底为核心原材料，考虑外延厂 2019 年整体去库存的影响及良率消耗，PSS 需求量应当与外延片产量相当。因此，2019 年全球 PSS 衬底需求量约 3,755 万片，2019 年公司图形化衬底的实际销售总量达 983.31 万片，全球市场占有率约 26.19%。据 LEDinside 预测，2020 年全年 GaN-LED 外延片产量达到 4,038 万片，增长约 7.54%，而公司 2020 年总销售量约 1,198.86 万片，测算 2020 年全球市场占有率约 29.69%，逐步提升了3.50%。

　　根据 LEDinside 披露，目前全球图形化衬底厂商按综合竞争力排名可分为两个梯队：第一梯队包括中图科技、福建晶安，第二梯队包括博蓝特、徐州同鑫、水晶光电、元旭光电等。其中，第一梯队的福建晶安系三安光电的全资子公司，其图形化衬底产品主要供三安光电内部使用。

　　自创立至今，中图科技一直围绕着第三代半导体氮化镓材料技术进行图形化衬底的开发与产业化，多年来占据了图形化蓝宝石衬底这一细分领域的领先位置，为促使公司的发展更上一个台阶，2020 年，公司制定了新的发展规划，确定了公司发展的方向：

　　一是持续发展主营业务，围绕着 GaN LED芯片技术，巩固公司图形化衬底的行业领头羊。公司将保持在图形化衬底产能规模、技术、品质上的领先位置，以图形化衬底为出发点，加大研发投入，从蓝宝石平片加工、图形化技术到外延材料生长，实现 LED 上游材料核心环节的协同研究。逐步提升图形化衬底的综合水平，配合客户提高 LED 芯片的性价比，同时开发各种类 LED 新应用的适 配衬底，推进新技术应用的开发。LED 具有广阔的应用前景和庞大的市场需求， 公司将继续夯实在 LED 这一大行业中的细致划分领域领头羊，立足产业链上游，与行业上下游企业协同创新，共谋发展。

　　二是沿着蓝宝石上氮化镓技术进行横向发展，充分的发挥蓝宝石上氮化镓外延层晶体质量较好的优势，开发蓝宝石上氮化镓的其他应用技术，为蓝宝石上氮化 镓器件提供一个具有竞争优势的材料解决方案。同时，公司将利用多年来积累的产业资源，挖掘产业链配套细致划分领域的产业高质量发展机会，与公司衬底材料业务形成 良性互补，逐步提升公司的综合竞争力。

　　质量逐步完善，器件性能和可靠性也在逐步改善。到目前为止，碳化硅的二极管以其优异的性能和使用过程

　　产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等每个方面，大力支持发展

　　碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上，实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向导通压降。基本

　　的应用痛点 /

　　特点及资料介绍 /

　　更多应用在器件方面。对这一概念相关领域的个股投资时，建议对该领域的市场空间与企业情况充分了解。 据不完全统计，A股上市公司

　　，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。 一、二、

　　春天还是虚火上升？又有哪些行业真的需要GaN或SiC功率器件呢？相对于IGBT、MOSFET和超级结MOSFET，GaN和SiC到底能为电子行业带来哪些技术变革？ 为了回答这样一些问题，小编认真阅读了多

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