在《不行错失的存储芯片(二)——概念股剖析》一文中,要点提到了存储板块的一大出资方向便是HBM,近几日HBM概念反常火爆,这儿咱们从产业链视点解析相关概念股。
HBM(高带宽内存)是依据3D堆叠工艺的DRAM内存芯片技能,大幅提高数据处理速度,ChatGPT展开带动第三代HBM报价大涨。
AI使用快速放量之下,AI服务器所需DRAM容量为惯例服务器的8倍,拉动DRAM需求大幅添加。HBM打破了内存容量与带宽瓶颈,被视为新一代DRAM解决方案。
以HBM为首要代表的存算一体芯片能够经过2.5D/3D堆叠,将多个存储芯片与处理器芯片封装在一起,战胜单一封装内带宽的约束、添加带宽、扩展内存容量、并削减数据存储的推迟。AI对话程序在履行核算期间需求大容量、高速的存储支撑,估计AI芯片展开也将会进一步扩展高性能存储芯片(HBM)需求。
依据TrendForce集邦咨询,2023-2025年HBM商场CAGR有望生长至40-45%以上,至2025年商场规模有望达25亿美元。其间海力士是肯定龙头,市占率达50%;
HBM归于先进封装的一种,因叠层厚度较高因而需求用特别的颗粒塑封料封装(GMC),全球线家日系公司(S公司和R公司)把握。国内仅有一家上市公司,即华海诚科
GMC要用到45um/20um low-α球硅和未来需求用到的low-α球铝,这些是联瑞新材的首要产品。
TSV技能是HBM的中心技能之一,中微公司是TSV设备首要供货商。硅通孔技能(TSV)为衔接硅晶圆双面并与硅衬底和其他通孔绝缘的电互连结构,能够穿过硅基板完结硅片内部笔直电互联,是完结2.5D、3D先进封装的要害技能之一,首要用于硅转接板、芯片三维堆叠等方面。中微公司在2010年就推出了首台TSV深孔硅刻蚀设备Primo TSV®,供给的8英寸和12英寸硅通孔刻蚀设备,均可刻蚀孔径从低至1微米以下到几百微米的孔洞,并具有工艺协调性。
因为ALD设备能够完结深邃宽比、极窄沟槽开口的优异台阶掩盖率及准确薄膜厚度操控,在HBM中先进DRAM加工工艺和TSV加工工艺中是必不行少的工艺环节。
雅克科技是国内ALD堆积首要资料前驱体供货商,公司前驱体产品供给HBM中心厂商SK海力士,High-K、硅金属前驱体产品掩盖先进1bDRAM、200层以上3DNAND以及3nm先进逻辑电路等。
拓荆科技是国内ALD设备的首要供货商之一,公司PEALD产品用于堆积SiO2、SiN等介质薄膜,在客户端验证顺畅;Thermal-ALD产品已完结研制,首要用于堆积Al2O3等金属化合物薄膜。
HBM首要使用2.5D+3D先进集成,IC载板是转接板中心资料。HBM凭借TSV技能完结2.5D+3D先进集成,而IC载板是集成电路先进封装环节的要害载体,树立IC芯片与PCB板之间的信号衔接。在现在使用较广的2.5D+3D的先进封装集成电路中,都选用IC载板作为承载芯片的转接板,如AMD2015年推出的Radeon R9 Fury X GPU中使用了64nm的TSV IC载板作为转接板,NVIDIA的Pascal 100 GPU依据台积电16nm工艺技能,衔接在台积电64nm CoWoS-2 转接板上,然后封装在PCB板上完结建立。
香农芯创:香农芯创及子公司参股了多家半导体公司,触及规划、封测、设备等半导体职业多种环节。署理SK海力士的HBM(High Bandwidth Memory)产品,一起方案与SK海力士协作展开存储模组事务。
雅克科技:公司为海力士与合肥长鑫中心供货商,22年海力士收入占比50%,前驱体需求量最大的商场现在80%来自海力士,公司前驱体资料与台积电/长江存储等展开协作。公司LDS运送体系现已完结对包含长江存储、中芯世界和上海华虹等国内干流集成电路生产商的批量供给。
太极实业:公司旗下的海太半导体(持有55%股权)与SK海力士合资,专为SK海力士供给DRAM封装测验事务。
深科技:HBM(高带宽存储芯片,配套算力底座GPU)将数个DRAM裸片堆叠起来与数据中心GPGPU合作作业。公司具有8层和16层DRAM堆叠工艺,有望切入HBM封装赛道。
通富微电:公司2.5D/3D生产线建成后,将完结国内涵HBM高性能封装技能领域的打破;
国芯科技:现在正在研讨规划HBM内存的2.5D芯片封装技能,活跃推动chiplet技能的研制和使用,作为HBM中心标的,公司在AI快速展开需求下估值将获益提高。
联瑞新材:SK公司为公司大客户(R客户正在打破过程中),券商以为公司或是A股中仅有有HBM敞口的公司。
追高需谨慎,以上逻辑仅为辅佐整理相关概念股以及大涨股的收益逻辑。也欢迎各位兄弟弥补。
算力 存力 封力 商场没有主线?或许是各位后知后觉?HBM将是替代CPO引领AI新浪潮的下半场。
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